STMicro et SOITEC s'allient dans les substrats en carbure de silicium

PARIS (Reuters) - STMICROELECTRONICS et SOITEC ont annoncé jeudi une coopération dans la technologie de fabrication de substrats en carbure de silicium. Les deux groupes expliquent dans un communiqué que cette coopération, qui porte sur les 18 prochains mois, doit permettre à STMICROELECTRONICS d'adopter la technologie dite "SmartSiC" dans le carbure de silicium de Soitec. "Le carbure de silicium est un composé semiconducteur de rupture dont les propriétés intrinsèques assurent des performances et un rendement plus élevés que le silicium dans les applications de puissance clés à forte croissance, telles que l’électromobilité et les processus industriels", indiquent les deux entreprises dans un communiqué.