Kioxia développe la technologie OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)
TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, leader mondial des solutions de mémoire, a annoncé aujourd'hui le développement de la technologie OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM), un nouveau type de DRAM avec architecture 4F2, composée d'un transistor semi-conducteur à oxyde qui possède à la fois un un courant ON élevé et un courant OFF ultra-faible. Cette technologie devrait permettre d'obtenir une DRAM à faible consommation d'énergie en mettant en valeur la propriété de fuite
